Faailoga pepa alumini vaega uamea

Fa'asagaga fa'ama'i

O laasaga nei e masani ona aofia i le faʻamaʻi faʻamaʻi:

1. Fafagaina o mea mata: Fa'aaogā paipa e tu'u ai mea mata i le reactor ina ia fa'atumauina le paleni lelei o mea mata i totonu.
2. Tali: Ina ia faia le faʻamaʻi faʻamaʻi, faʻaopopo le okesene i le reactor ma faʻatonutonu faʻasologa o tali (e pei o le vevela, mamafa, ma le taimi faʻaalia).
3. Tu'ueseeseina o oloa: Fa'aaoga se ea malulu e fa'alili ai le mea fa'afefete, liliu mai le kasa i totonu o se vai po'o le malo, ona fa'aaoga lea o se separator e vavae'ese ai oloa e afua mai i vaega eseese.
4. Fa'amamāina: Ina ia fa'amautinoa e o'o atu le oloa fa'afoliga i le mama talafeagai, fa'amama.
5. Faʻapipiʻiina: A maeʻa ona faʻamamaina oloa, e faʻapipiʻiina e tusa ai ma taʻiala ma tulaga faʻataʻitaʻi aʻo leʻi faʻatau atu i tagata faʻatau pe auina atu i le isi laasaga o le gaosiga.

I nisi faʻaoga faʻapitoa, e pei o le semiconductor wafer processing, o le faʻamaʻiina o le faʻamaʻiina e aofia ai foʻi le tuʻuina atu o mea faʻamaʻi (e pei o le vai, okesene) ma le malosi o le vevela i luga o le silicon substrate e fausia ai se ata silicon dioxide (SiO2). O lenei oxide film e puipuia ai le wafer e ala i le puipuia o le tafe mai le taimi nei mai le tafe i le va o taʻavale, puipuia le faʻasalalau i le taimi o le faʻapipiʻiina o le ion, ma galue e pei o se ata e teteʻe ai e taofia ai le togi sese i le faagasologa o le etching.